無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統 

    概述:[中介]PV-1000系列無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統為太陽能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(總厚度變化)TTV、翹曲及無接觸電阻率測量功能。并提供基于TCP/IP的數據傳輸接口及基于Windows的控

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    PV-1000系列無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統為太陽能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(總厚度變化)TTV、翹曲及無接觸電阻率測量功能。并提供基于TCP/IP的數據傳輸接口及基于Windows的控制軟件,用以進行在線及離線數據管理功能。





    無接觸硅片綜合測試系統-產品特點


    ■ 使用MTI Instruments獨有的推/拉電容探針技術
    ■ 每套系統提供最多三個測量通道
    ■ 可進行最大、最小、平均厚度測量和TTV測量
    ■ 可進行翹曲度測量(需要3探頭)
    ■ 用激光傳感器進行線鋸方向和深度監視(可選)
    ■ 集成數據采集和電氣控制系統
    ■ 為工廠測量提供快速以太網通訊接口,速率為每秒5片
    ■ 可增加的直線厚度掃描數量
    ■ 與現有的硅片處理設備有數字I/O接口
    ■ 基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數據監控
    ■ 提供標準及客戶定制的探頭
    ■ 提供基于Windows的動態鏈接庫用于與控制電腦集成
    ■ 用渦電流法測量硅片電阻率






    無接觸硅片綜合測試系統-技術指標


    ■  晶圓硅片測試尺寸:50mm- 300mm.


    ■   厚度測試范圍:1.7mm,可擴展到2.5mm.


    ■   厚度測試精度:+/-0.25um


    ■   厚度重復性精度:0.050um


    ■   測量點直徑:8mm


    ■  TTV 測試精度:  +/-0.05um
    ■  TTV重復性精度: 0.050um


    ■   彎曲度測試范圍: +/-500um [+/-850um]


    ■   彎曲度測試精度: +/-2.0um


    ■   彎曲度重復性精度: 0.750um


    ■ 電阻率測量范圍:5-2000ohm/sq(0.1-40ohm-cm)
    ■ 電阻率測量精度:2%


    ■ 電阻率測量重復精度:1%


    ■ 晶圓硅片類型:單晶或多晶硅


    ■ 材料:Si,GaAs,InP,Ge等幾乎所有半導體材料


    ■ 可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質量檢測等


    ■ 平面/缺口:所有的半導體標準平面或缺口


    ■ 硅片安裝:裸片,藍寶石/石英基底,黏膠帶


    ■ 連續5點測量





    應用范圍


    > 切片


    >>線鋸設置


        >>>厚度


          >>>總厚度變化TTV


         >>監測


    >>>導線槽


    >>>刀片更換


    >磨片/刻蝕和拋光


    >> 過程監控


    >> 厚度


    >>總厚度變化TTV


    >> 材料去除率


    >> 彎曲度


    >> 翹曲度


    >> 平整度


    > 研磨


    >> 材料去除率


    > 最終檢測


    >> 抽檢或全檢


    >>  終檢厚度
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