單晶硅微差壓變送器 

    概述:單晶硅微差壓變送器
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    刷新時間:
    2022-11-23 16:16:03 點擊76837次
    服務(wù)區(qū)域:
    北京/海淀/上地街道
    價格:
    • 1300 元
    聯(lián)系電話:
    010-57159834 王慶
    QQ:
    549068416
    信用:4.0  隱性收費:4.0
    描述:4.0  產(chǎn)品質(zhì)量:4.0
    物流:4.0  服務(wù)態(tài)度:4.0
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    單晶硅壓力傳感器的工作原理
    如圖1所示,單晶硅傳感器的敏感元件是將P型雜質(zhì)擴(kuò)散到N型硅片上,形成極薄的導(dǎo)電P型層,焊上引線即成“單晶硅應(yīng)變片”,其電氣性能是做成一個全動態(tài)的壓阻效應(yīng)惠斯登電橋。該壓阻效應(yīng)惠斯登電橋和彈性元件(即其N型硅基底)結(jié)合在一起。介質(zhì)壓力通過密封硅油傳到硅膜片的正腔側(cè),與作用在負(fù)腔側(cè)的介質(zhì)形成壓差,它們共同作用的結(jié)果使膜片的一側(cè)壓縮,另一側(cè)拉伸,壓差使電橋失衡,輸出一個與壓力變化對應(yīng)的信號。惠斯登電橋的輸出信號經(jīng)電路處理后,即產(chǎn)生與壓力變化成線性關(guān)系的4-20mA標(biāo)準(zhǔn)信號輸出。 

    對于表壓傳感器,其負(fù)腔側(cè)通常通大氣,以大氣壓作為參考壓力;對于絕壓傳感器,其負(fù)腔側(cè)通常為真空室,以決對真空作為參考壓力;對于差壓傳感器,其負(fù)腔側(cè)的導(dǎo)壓介質(zhì)通常和正腔側(cè)相同,如硅油、氟油、植物油等。  
                                  
    圖1  硅傳感器結(jié)構(gòu)圖                                                                   圖2  膜片受壓示意圖 
    如圖2所示,在正負(fù)腔室的壓差作用下,引起測量硅膜片(即彈性元件)變形彎曲,當(dāng)壓差P小于測量硅膜片的需用應(yīng)力比例極限σp時,彎曲可以全部復(fù)位;當(dāng)壓差P超過測量硅膜片的需用應(yīng)力比例極限σp后,將達(dá)到材料的屈服階段,甚至達(dá)到強(qiáng)化階段,此時撤去壓差后測量硅膜片無法恢復(fù)到原位,導(dǎo)致發(fā)生不可逆轉(zhuǎn)的測量偏差;當(dāng)壓差P達(dá)到或超過測量硅膜片能承受的ZUI高應(yīng)力σb后,測量硅膜片破裂,直接導(dǎo)致傳感器損壞。因此,通過阻止或削弱外界的過載壓差P直接傳遞到測量硅膜片上,可以有效保護(hù)傳感器的測量精度和壽命。這就引出了對單晶硅芯片進(jìn)行過載保護(hù)設(shè)計的問題。 

    2.2 壓力過載保護(hù)設(shè)計和實現(xiàn)
    如圖3所示,為克服單晶硅硅片抗過載能力不足的缺陷,配備了一種具有單向壓力過載保護(hù)的差壓傳感器。該單向壓力過載保護(hù)差壓傳感器不僅能測出現(xiàn)場工況在額定壓力范圍內(nèi)的壓差值,而且在發(fā)生單向壓力過載的情況下還能有效地進(jìn)行自我保護(hù),避免了硅差壓傳感單向壓力過載而引起的損壞。 
     
    圖3  帶過載保護(hù)的差壓傳感器結(jié)構(gòu)示意圖 

    如圖4、圖5所示,當(dāng)有超過差壓測量硅膜片允許工作范圍的差壓出現(xiàn)時,中心隔離移動膜片向低壓一側(cè)移動,并使高壓一側(cè)的外界隔離膜片和腔室內(nèi)壁重合,從而使得高壓側(cè)硅油全部趕入腔室內(nèi),無法向單晶硅芯片進(jìn)一步傳遞更高的壓力值,在單晶硅芯片上避免了超高壓的發(fā)生,有效地實現(xiàn)了保護(hù)單晶硅芯片的目的。 

    圖4  正腔過載示意圖                                                            圖5  負(fù)腔過載示意圖 

    這種抗過載設(shè)計方法有效的保護(hù)了單晶硅芯片的長期工作穩(wěn)定性,尤其在有水錘現(xiàn)象存在的工況場合更加能夠突出其優(yōu)越性。

    2.3 優(yōu)越的量程比可調(diào)性能
    由于單晶硅芯片的輸出信號量較大,在5V的恒壓源激勵下其典型的量程輸出到達(dá)了100mV,這樣對于后端的電子電路和軟件較為容易實現(xiàn)信號補(bǔ)償和放大處理。相比于金屬電容式壓力、差壓變送器,單晶硅原理的壓力、差壓變送器的量程比性能非常優(yōu)越,其常用壓力變送器的量程可調(diào)比達(dá)到了100:1,微差壓變送器的可調(diào)量程比達(dá)到10:1。經(jīng)量程壓縮后仍能保持較高的基本精度,大幅拓寬了單晶硅壓力變送器的可調(diào)節(jié)范圍,對用戶的應(yīng)用較為方便和有意義。 

    如表1所示,3臺經(jīng)抽樣的差壓變送器經(jīng)過10:1量程縮小和100:1量程縮小后的準(zhǔn)確度考核結(jié)果。滿量程為0-250kPa,壓縮10倍后的量程變更為0-25kPa,壓縮100倍后的量程變更為0-2.5kPa。從實驗的結(jié)果可以看出,當(dāng)壓縮10倍量程比后,其基本誤差分別為0.019%、0.012%、0.025%,仍然能夠保持由于0.05級的準(zhǔn)確度;當(dāng)壓縮100倍量程比后,其基本誤差分別為0.147%、0.219%、0.197%,其仍然可以優(yōu)于0.25級的準(zhǔn)確度。
    單晶硅微差壓變送器
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